降低晶振年老化率的参数与方法

发表于 2025-11-08 05:55
楼主 | 电梯直达

为了获得更低的老化率,可从晶振本身、封装工艺、电路设计和工作环境进行优化:

 

1. 晶体参数

切型:SC切晶体AT切晶体更稳定,应力更。

频率高低:低频晶体通常比高频晶体更稳定。

驱动功率:过高的驱动功率会加速电极迁移。

 

2. 封装与制造工艺

密封质量:金属封装、气密性好可减少湿气和污染对老化的影响。

真空或惰性气体封装:减少内部污染,提高长期稳定性。

电极材料:稳定的金或钼/金复合电极更抗迁移。

 

3. 电路与工作条件

恒温控制:可有效降低温度应力引起的频率漂移。

供电稳定度:避免电源波动引起频率变化。

负载电容稳定性:保持无源晶体的负载电容恒定。

 

4. 环境与应用条件

温度波动:恒温环境降低应力释放导致的漂移。

湿度:低湿环境和稳定封装防止电极腐蚀。

机械应力:减少长期振动或冲击,降低老化率。

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