降低晶振年老化率的参数与方法
发表于 2025-11-08 05:55为了获得更低的老化率,可从晶振本身、封装工艺、电路设计和工作环境进行优化:
1. 晶体参数
频率高低:低频晶体通常比高频晶体更稳定。
驱动功率:过高的驱动功率会加速电极迁移。
2. 封装与制造工艺
密封质量:金属封装、气密性好可减少湿气和污染对老化的影响。
真空或惰性气体封装:减少内部污染,提高长期稳定性。
电极材料:稳定的金或钼/金复合电极更抗迁移。
3. 电路与工作条件
恒温控制:可有效降低温度应力引起的频率漂移。
供电稳定度:避免电源波动引起频率变化。
负载电容稳定性:保持无源晶体的负载电容恒定。
4. 环境与应用条件
温度波动:恒温环境降低应力释放导致的漂移。
湿度:低湿环境和稳定封装防止电极腐蚀。
机械应力:减少长期振动或冲击,降低老化率。