晶体应尽量靠近MCU或RTC芯片，两个晶体引脚的走线尽可能短，并减少不必要的过孔和绕线。同时，应避免高速数字信号从晶振附近经过，尤其不要让高频时钟、DDR、USB、高速差分信号以及DC-DC开关节点紧邻晶振区域。对于高EMC要求产品，可以根据实际情况在晶振周围设计接地保护区域，使晶振与周围高速干扰信号之间形成更好的隔离。

接地保护环并不是越大越好，也不是所有晶振都适合采用完全包围式接地设计。如果接地铜皮与晶振信号走线距离过近，反而可能增加寄生电容，改变晶体的实际负载条件。因此，EMC设计需要在屏蔽效果和寄生参数之间取得平衡。