方法1：选择低ESR晶体

特别适合低功耗MCU、RTC、电池设备、快速唤醒设备。

方法2：优化CL

检查“晶体CL”和“外部电容 + MCU管脚电容 + PCB寄生电容”之间的关系。避免使用明显过大的负载电容。但不能为了追求起振速度而盲目降低CL，否则可能导致频率偏差、频率对寄生电容更加敏感、频率一致性变差。

方法3：增加合理的负阻裕量

如果测试发现负阻裕量不足，可以考虑调整振荡器驱动设置、更换低ESR晶体、优化负载电容、选择更适合的MCU振荡器配置。

方法4：优化PCB布局

晶振应尽量靠近MCU。建议MCU OSC引脚到晶体之间的距离，保持尽可能短的连接。另外，还需要避免长走线、不必要过孔、高速信号线从晶体附近经过、DC-DC开关节点靠近晶振。

方法5：优化供电

确保VDD满足MCU规格、电源纹波在允许范围、去耦电容位置合理、DC-DC噪声不会直接耦合到晶振回路。对于低功耗设备，还要验证最低电压条件下的起振时间。