振荡回路的稳定性由晶体和外围电路性能共同决定。而振荡回路的杂散电容难以确定,以及理想负电阻难以实现,这样很容易造成晶振不稳定或停振。随着电子产品高速高稳的需求,最佳匹配的模块化晶体振荡器在精密仪器仪表,无线定位,目标跟踪,宇航通讯等广泛应用。推出各类功能晶振包括: 差分输出(D); 电磁排除振荡器(E); 低抖动(J); 可编程(Q); 可切换频率(S); 超高频(H); 超宽温(W); 低功耗(P).

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尺寸

型号

输出波形

工作电压

频率范围Hz

特种代码

参数选择

规格书

    1. 7.0x5.0
    2. KS708T
    3. CMOS
    4. 1.8V~3.3V
    5. 150.0M~250.0M
    6. J Q S H

      相噪抖动 编程晶振 切换频率 超高频

    7. 立即选择
    1. 7.0x5.0
    2. KD708C
    3. HCSL
    4. 1.8V~3.3V
    5. 150.0M~700.0M
    6. D J Q S H

      差分输出 相噪抖动 编程晶振 切换频率 超高频

    7. 立即选择
    1. 7.0x5.0
    2. KJ708D
    3. LVDS
    4. 1.8V~3.3V
    5. 150.0M~2.1G
    6. D J Q S H

      差分输出 相噪抖动 编程晶振 切换频率 超高频

    7. 立即选择
    1. 7.0x5.0
    2. KJ706D
    3. LVDS
    4. 2.5V~3.3V
    5. 100.0M~1.5G
    6. D J Q S H

      差分输出 相噪抖动 编程晶振 切换频率 超高频

    7. 立即选择
    1. 7.0x5.0
    2. KD706C
    3. HCSL
    4. 1.8V~3.3V
    5. 13.5M~250.0M
    6. D

      差分输出

    7. 立即选择
    1. 7.0x5.0
    2. KD706D
    3. LVDS
    4. 1.8V~3.3V
    5. 10.0M~1.5G
    6. D

      差分输出

    7. 立即选择
    1. 7.0x5.0
    2. KM70
    3. CMOS
    4. 2.5V~3.3V
    5. 3.0M~200.0M
    6. M

      扩频晶振

    7. 立即选择
    1. 7.0x5.0
    2. KJ70
    3. CMOS
    4. 1.8V~3.3V
    5. 20.0M~50.0M
    6. J

      相噪抖动

    7. 立即选择
    1. 7.0x5.0
    2. KS70
    3. CMOS
    4. 1.2V~5.0V
    5. 0.25M~200.0M
    6. -
    7. 立即选择
    1. 7.0x5.0
    2. KS7050
    3. CMOS
    4. 1.8V~3.3V
    5. 14K~100K
    6. P

      低功耗

    7. 立即选择