晶体谐振器电性能参数介绍

发布时间:2022-04-20 阅读次数:871

本篇KOAN凯擎小妹将逐一讲解无源晶振测试报告中的电性能参数含义。下图为KOAN谐振器7050, 8MHz的实测数据报告:

1. C0&C1

  • C0静态电容:晶体两引脚之间的电容; 

  • C1动态电容:表征振动能力,两者与晶片电极面积和频率大小成正比。



2. RR&Q

RR动态等效串联电阻(能耗)取决于晶体内部摩擦、电极、支架等机械性振动时的损失,以及周围环境条件等的影响损失。

RR与Q值(品质因数)成反比,Q值由生长水晶料品质决定,越高,固有频率越稳定。L1动态等效串联电感,表征振动质量,和频率大小成反比。

RL晶体加负载电容的谐振阻抗。根据阻抗大小,可以评估振荡电路设计振荡宽限,满足振荡电路的振幅条件和激励功率等级。

评估晶振品质要素:Q值越高越好;RR越小越好,批量一致性要好。


3. FR&FL

晶体的串联谐振频率FR: 晶体本身固有的特性:

负载频率(调制频差)FL:在某一负载下的谐振频率,高于FR。

  • 调整频率:指常温25℃和标准负载电容条件下的振荡频率;

  • 调整频差:一定负载电容的晶体频率公差(加工误差)。

评估晶振品质要素:单个误差越小越好,批量一致性越高越好。


4. TS

TS值是负载电容每变化1pF时FL的变化量(单位ppm/pF)。KOAN晶振建议您根据实际电路频率高低误差大小,判断外接匹配电容多大合适。


5. I&PWR

  • 电流I: 晶体在谐振时,流过晶体的电流值,RR越大电流越小。

  • 激励功率PWR:实际跨在晶体上的功率。可以根据其大小评估激励功率等级和匹配相应的限流电阻。


6. DLD2

不同激励功率下的最大与最小阻抗差值。激励功率变化引起的阻抗变化,由残留应力和制造污染造成,越小越好。


7. CL

CL是电路中跨接晶体两端的总的有效电容(晶振外接的匹配电容是其一部分),主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻,与晶体一起决定振荡器电路的工作频率,通过调整负载电容,就可以将振荡器的工作频率微调到标称值。晶体小型化发展导致C0变小,相应CL变低。

  • Cs为晶体两个管脚间的寄生电容;

  • Cd表示晶体振荡电路输出管脚到地的总电容,包括PCB走线电容、芯片管脚寄生电容、外加匹配电容CL2;

  • Cg表示晶体振荡电路输入管脚到地的总电容,包括PCB走线电容、芯片管脚寄生电容、外加匹配电容CL1。


8. 温度频差/温度稳定性

温度频差是在一定温度变化范围内的频率变化量。凯擎小妹建议您选择KOAN晶振时,可根据产品使用温度环境,和最大频率变化容忍度,提出质量等级要求。

  • 上一篇:振荡电路设计关键:晶振频率稳定
  • 下一篇:石英晶振温度变化应力可靠性试验