晶振可靠性测试:高低温储存试验,高温老化与低温储存对晶振性能的影响

发布时间:2023-09-26 阅读次数:5313

随着汽车电子、工业控制、通信设备、医疗电子及航空航天等领域对可靠性的要求不断提高,晶振除了满足频率精度、频率稳定度等电性能指标外,还必须通过各种环境可靠性试验。其中,高低温储存试验(High/Low Temperature Storage Test)是验证晶振长期耐环境能力的重要项目之一。


高低温储存试验主要模拟产品在运输、仓储以及长期使用过程中可能遇到的极端温度环境,评估高温或低温长期存放后,晶振的机械结构、电性能以及密封性能是否仍能保持稳定,从而确保产品在实际应用中的长期可靠性。


什么是高低温储存试验?

高低温储存试验是指将晶振在不通电状态下,分别置于高温或低温环境中持续存放一定时间,试验结束后恢复至室温,再进行完整的电性能测试。

与高低温循环试验不同,高低温储存试验是考验元器件在长期极端温度环境下材料老化、封装密封性以及内部结构稳定性的变化。该试验能够提前暴露许多潜在问题,例如:

封装密封性能不足;

材料热膨胀系数不匹配;

内部焊点应力变化;

电极氧化或材料老化;

电性能参数漂移等。

对于长期运行的电子设备而言,这类试验能够有效评估晶振在整个生命周期内的可靠性表现。


高温储存试验(High Temperature Storage)

高温储存试验主要用于验证晶振在长期高温环境下的稳定性。长时间高温会加速材料老化、焊点应力变化以及封装材料性能变化,因此能够有效筛选潜在失效产品。常见测试条件如下:

工作温度为 125℃±5℃

储存时间为 1000小时±12小时

整个测试过程中晶振保持不带电状态;

试验结束后,应在 24±2小时 内完成电性能测试。

高温储存试验通常采用电热恒温箱完成,可参考 MIL-STD-202 Method 108 等相关标准。通过该试验,可以验证晶振在长期高温仓储或高温运输环境下,是否仍能保持良好的频率稳定性和机械可靠性。


低温储存试验(Low Temperature Storage)

低温储存试验主要评估晶振在长期低温环境下的可靠性,同时检测封装内部是否存在残余湿气,以及材料在低温环境下是否发生性能变化。测试条件通常为:

工作温度 -55℃±5℃

储存时间 1000小时±12小时

整个试验过程中保持不带电

试验结束后 24±4小时 内完成电性能测试。

低温储存试验通常采用低温试验机完成,可参考 JIS C7021B-12GJB 548B.1013.1 等测试标准。由于低温环境可能使封装内部残余水汽凝结,因此该试验也常用于验证晶振封装密封性能和露点控制能力。


高低温储存试验对晶振有哪些影响?

经过长期高低温储存后,晶振的主要电性能会产生一定程度的变化,但只要变化控制在规格范围内,产品仍属于合格产品。


晶体谐振器:

- 高温储存后频率一般降低约 3.5ppm(最大5ppm)、谐振阻抗增加约  或 ±10%(最大5Ω)

- 低温储存后频率通常降低约 2.5ppm(最大5ppm),谐振阻抗变化幅度与高温试验相近。


晶体振荡器:

- 高温和低温储存试验后,输出频率通常变化约 3.5ppm(最大5ppm)。


这些变化主要来源于石英晶片内部应力释放、封装材料热应力变化以及材料物理特性的轻微漂移,因此属于可靠性评估的重要参考指标。


为什么高低温储存试验如此重要?

随着电子产品工作环境越来越复杂,晶振不仅要保证正常起振,更需要在长期高温、低温以及仓储运输环境中保持稳定性能。如果晶振密封性能不足,高温环境可能导致封装老化、内部材料氧化;低温环境则可能因湿气凝结影响振荡性能,严重时甚至造成频率漂移或起振异常。因此,高低温储存试验已经成为汽车电子、工业控制、通信设备以及军工产品的重要可靠性验证项目。对于高可靠性应用,仅满足出厂测试远远不够,还需要经过完整的环境可靠性验证,确保产品能够长期稳定运行。


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