负电阻测量的方法是在晶体一端串联一个测试电阻Rtest(建议使用低感抗电阻)，逐步增加阻值，直到振荡刚好停止。

负电阻 ≈ Rtest + 晶体 RL

该数值反映了振荡电路的实际负阻能力。这种方法是评估MCU内部振荡能力的常用手段。