当晶体工作在串联谐振频率fs时：动态支路中的电感L1产生感抗、电容C1产生容抗。两者大小相等，方向相反。因此L1和C1相互抵消。此时晶体阻抗主要由动态电阻R1决定。即Z ≈ R1。由于R1通常较小，因此晶体在fs附近表现为：低阻抗、低损耗、高能量传输效率。从外部电路看，晶体类似一个低阻抗电阻。串联谐振晶体的标称频率定义在fs，不需要外部负载电容CL，常用于需要固定串联谐振条件的电路。因此，规格书通常不会标注负载电容CL。

当频率位于fs < f < fp这个区域时，晶体进入感性区域。此时，晶体对外表现为：一个高Q值等效电感。该电感与外部负载电容共同组成振荡网络。通过调整晶体参数、负载电容CL、振荡电路可以使实际振荡频率达到目标值。在fp附近，静态电容C0产生影响，使晶体出现反谐振现象。此时阻抗达到最大，晶体接近开路状态。因此，并联谐振应用利用的是fs和fp之间的感性区域。