很多实际项目中的晶振异常，并不是某一个参数单独造成的，而是多个因素叠加。例如，晶振的负载电容已经偏大，同时PCB走线较长、寄生电容较高，再叠加MCU振荡器驱动能力不足，就可能导致起振时间明显增加，甚至完全无法起振。晶振选型不能只看频率和尺寸。还需要结合ESR、负载电容、驱动功率、工作温度范围以及MCU内部振荡器的实际能力进行匹配。

晶振虽然没有机械运动部件，但石英晶体及其封装仍可能受到外部因素影响。比较典型的情况包括：

受到超过规格的机械冲击或跌落；

焊接温度或焊接时间超出器件允许范围；

过大的驱动功率造成晶体过驱动；

长期处于超规格温度环境；

封装受到污染、受潮或机械应力影响；

有源晶振受到过压、反接或ESD冲击。