负载电容CL是晶体应用中非常重要的参数。它一方面决定晶体实际工作频率，另一方面也会改变振荡回路中的能量分布，因此会影响振荡器的实际工作状态。在实际设计中，负载电容并不是越大越好，也不是越小越好。

负载电容过大：可能导致起振速度下降、驱动要求增加，同时晶体的频率拉动能力减小；

负载电容过小：可能使振荡回路对寄生参数和外部噪声更加敏感，造成频率偏差和一致性问题。

因此，工程设计时应首先参考MCU或振荡器芯片推荐的负载电容范围，再根据晶体规格书中的CL参数选择C1、C2。对于无源晶体，还需要综合考虑PCB寄生电容：

CL ≈ (C1 × C2)/(C1 + C2) + Cstray

其中Cstray包括芯片引脚、PCB走线、封装以及周围结构产生的寄生电容。