从频域来看，理想振荡器的输出应该集中在一个非常窄的频率范围内。但实际系统中始终存在电源噪声、器件噪声、热噪声以及电路本身产生的随机扰动，这些噪声会不断改变振荡信号的相位，最终表现为载波两侧的相位噪声。高Q振荡系统具有更强的能量储存能力，外部噪声对振荡相位的扰动相对较小，因此通常可以获得更好的相位噪声性能。晶体Q值决定了振荡系统能够达到的性能基础，而在线Q值则更加接近实际产品最终表现。即使选择了一颗高Q晶体，如果振荡电路损耗较大、负载电容匹配不合理，或者PCB寄生参数控制不好，最终晶振的相位噪声性能仍然可能受到限制。