晶振可靠性测试:高低温储存试验

发布时间:2023-09-26 阅读次数:426

高温试验是晶振在高温条件下工作一段时间后,评定高温对晶振的电气和机械性能的影响;或者长时间高温存储(不带电)后,评定晶振的质量稳定性,可参照标准GJB 360B.108。低温试验是长时间低温存储(不带电)后,评定晶振的质量稳定性,以及检测封装中足以对晶振产生不良影响的残存湿气,即通常的露点测试,可参照标准GJB 548B.1013.1。

 

高低温储存试验(High/Low Temperature Storage)暴露的故障来源于元器件表面和内部的物理和化学变化,例如:密封问题,材料热胀冷缩问题,电性能产生的变化等。



试验说明

高温存储试验:
    - 工作温度: 125°C±5°C; 
    - 存储时间: 1000H±12H,不带电; 
    - 实验结束后24±2Hrs内进行电性能测试。

高温储存试验可以使用“电热恒温箱”来进行试验,可参考标准MIL-STD-202 Method 108。





低温存储试验:
    - 工作温度: -55°C±5°C; 
    - 存储时间: 1000H±12H,不带电; 
    - 实验结束后24±4Hrs进行电性能测试。

低温储存试验可以使用“低温试验机”,可参考标准JIS-C7021B-12。


 


本试验对晶振的影响

高温存储试验:晶体谐振器频率降低3.5ppm左右(5max),谐振阻抗增大3Ω左右±10%(5max); 晶体振荡器频率降低3.5ppm左右(5 max)。




低温存储试验:晶体谐振器频率降低2.5ppm左右(5max),谐振阻抗增大3Ω左右±10%(5max); 晶体振荡器频率降低3.5ppm左右(5 max)。





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