发布时间:2026-01-07
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对于无源晶体,由于晶体两端连接的是MCU内部振荡器的高阻抗节点,通常建议在晶体焊盘和本体下方适当挖空,以减少寄生电容对起振和频率的影响;而有源晶振内部已经完成振荡,PCB上主要是电源、地和时钟输出,因此通常更适合采用连续接地平面,并保证低阻抗回流路径。简单来说:高阻抗起振节点重点减少寄生电容,低阻抗有源时钟重点保证稳定接地。
无源晶体本身并不会主动产生振荡,它只是利用石英晶体的压电效应和高Q值机械谐振特性,为外部振荡电路提供稳定的频率选择。以MCU常见的Pierce振荡器为例,晶体两端分别连接MCU内部振荡器的两个引脚,外部再连接两个负载电容。此时晶体两端属于高阻抗、低振幅的模拟节点,对PCB寄生参数比较敏感。
如果晶体焊盘下方存在大面积地铜、电源铜皮或其他金属结构,就会形成额外的寄生电容。这些寄生电容会改变振荡回路实际看到的负载条件,从而影响晶体的工作频率和起振裕量。因此,对于无源晶体,PCB布局通常建议:
晶体焊盘下方适当挖空,减少对地寄生电容;
晶体本体下方避免大面积铺地或其他高速铜皮;
晶体与MCU之间的走线尽量短;
XTAL1、XTAL2两条走线尽量对称;
负载电容尽量靠近MCU和晶体放置;
晶体区域远离高速数字信号、电源开关节点等噪声源。
需要注意的是,“挖空”并不是说晶体周围完全不能接地。晶体本体和关键走线区域减少不必要的对地寄生电容,同时在外围设置接地保护区域,以降低外部噪声耦合。
对于无源晶体,负载电容CL是选型和电路设计中的重要参数。实际负载还会受到MCU引脚电容、PCB走线电容、封装寄生电容以及外部负载电容等因素影响。
CL ≈ C1×C2/(C1+C2) + Cstray
其中Cstray就是PCB和器件产生的寄生电容
因此,如果晶体下方存在较大的地铜,就可能增加Cstray,使实际负载偏离设计值。晶体布局不能只看晶体离MCU的距离,还需要考虑焊盘、走线以及周围铜皮所形成的寄生参数。
不一定。
在一些低频晶体、驱动能力较强的MCU或者设计裕量较大的系统中,即使晶体下方没有完全挖空,电路仍然可能正常起振。如果寄生电容较大,可能造成频率偏移、起振时间增加、起振裕量下降,甚至使不同PCB版本或不同批次产品之间出现一致性差异。对于对时钟精度和可靠性要求较高的产品,与其依赖电路本身的裕量,不如在PCB设计阶段主动控制寄生参数。
有源晶振与无源晶体的电气结构完全不同。有源晶振内部已经集成了石英晶体、振荡电路、放大器、波形整形和输出缓冲等功能。振荡过程已经在晶振内部完成。PCB上看到的通常是VCC、GND、OUT以及OE、EFC等控制引脚。PCB上的时钟输出节点不再是无源晶体那种高阻抗起振节点,而是经过内部驱动电路处理后的时钟信号。建议:
晶振本体下方保持连续接地;
GND引脚使用短而直接的接地路径;
电源去耦电容尽量靠近VCC引脚;
输出时钟走线尽量短,并根据输出类型进行阻抗控制;
避免时钟线跨越地平面分割;
远离强噪声源和高速开关节点。
对于普通CMOS有源晶振,稳定的电源和地已经非常重要。而对于TCXO、VCXO和OCXO等高稳定度晶振,内部还可能包含温度补偿、频率调谐、模拟控制以及恒温控制等电路,对电源噪声和地阻抗更加敏感。例如TCXO内部需要根据温度变化进行频率补偿;VCXO需要通过控制电压改变输出频率;OCXO内部还包含恒温控制电路。如果PCB地平面不连续、回流路径过长或者接地阻抗较大,可能增加电源和地噪声,并进一步影响相位噪声、抖动以及频率稳定性。因此,高稳定度晶振通常更适合采用完整、连续的接地设计。
| 项目 | 无源晶体 | 有源晶振 |
|---|---|---|
| 振荡电路 | 外部MCU/IC提供 | 内部集成 |
| PCB节点 | 高阻抗模拟节点 | 驱动后的时钟输出 |
| 对寄生电容敏感度 | 较高 | 相对较低 |
| 晶体下方 | 通常建议适当挖空 | 通常建议铺地 |
| 接地重点 | 控制寄生参数 | 保证低阻抗回流 |
| 电源去耦 | 由MCU/系统设计决定 | 应靠近晶振VCC |
| 主要关注点 | CL、起振、频率偏移 | 电源完整性、EMI、信号完整性 |
无源晶体:检查晶体CL、MCU内部振荡器参数、负载电容、ESR和驱动能力,再确定PCB挖空范围。通常建议挖空。
有源晶振:重点确认VCC、GND、输出波形、负载、阻抗匹配以及去耦设计。通常建议铺地。
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